【IT商業新聞網訊】2月4日消息，三星電子近日研發出了世界首款40納米1G DDR2 動態內存（1納米等于十億分之一米），預計2010年正式量產。
據了解，40納米內存與目前普遍使用的50、60納米內存相比，芯片面積更小，同時可以在低電低壓的環境下運行。1.2V環境下運行的40納米內存能夠比50納米1.5V內存減耗30%以上，從而為服務器等高耗能設備提供更加環保高效的能源解決方案。
三星電子同時透露，在2009年還將實現40納米2G DDR3的研究和開發，該產品將比去年9月量產的50納米2G DDR3生產效率提高約60%。（編輯：Kobe）
進入論壇>>聲明：IT商業新聞網登載此文出于傳遞更多信息之目的，并不意味著贊同其觀點或證實其描述。文章內容僅供參考。新聞咨詢：(010)68023640.推薦閱讀
德國軟件巨頭SAP周三推出近三年來最大規模的商業軟件升級服務，稱在經濟衰退侵蝕公司盈利的時候幫助公司節省成本。 【IT商業新聞網訊】北京時間2月5日凌晨消息，據國外媒體報道，德國軟件巨頭SAP周三推出近三年來最大>>>詳細閱讀
本文標題：三星電子研制出首款40納米內存 2010年正式量產
地址：http://www.xglongwei.com/a/xie/20111230/207706.html
網友點評
精彩導讀
科技快報
品牌展示